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| 500+ | € 0,0399 |
| 1000+ | € 0,0361 |
| 5000+ | € 0,0342 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
Herstellerteilenummer1N4150-T/R
Bestellnummer1612349
Produktpalette1N4150
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung50V
Durchschnittlicher Durchlassstrom150mA
Durchlassspannung, max.1V
Sperrverzögerungszeit4ns
Durchlassstoßstrom4A
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - DiodeDO-204AH
Anzahl der Pins2Pin(s)
DiodenmontageDurchsteckmontage
Produktpalette1N4150
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The 1N4150-T/R is a silicon epitaxial planar Small Signal Fast Switching Diode features low forward voltage drop and high forward current capability. It is used in high speed switching and general purpose use in computer and industrial applications.
- AEC-Q101 qualified
- 50V Reverse voltage VR
- 175°C Junction temperature
Anwendungen
Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
150mA
Sperrverzögerungszeit
4ns
Betriebstemperatur, max.
175°C
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
1N4150
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Periodische Spitzensperrspannung
50V
Durchlassspannung, max.
1V
Durchlassstoßstrom
4A
Bauform - Diode
DO-204AH
Diodenmontage
Durchsteckmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für 1N4150-T/R
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000181
Produktnachverfolgung