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BPW76A
Fototransistor, 850 nm, 40 °, 250 mW, 3 Pin(s), TO-18
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,430 |
| 10+ | € 2,520 |
| 25+ | € 2,340 |
| 50+ | € 2,160 |
| 100+ | € 1,980 |
| 500+ | € 1,740 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerBPW76A
Bestellnummer1612658
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.850nm
Abstrahlwinkel40°
Stromverbrauch250mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Bauform - TransistorTO-18
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
The BPW76A is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for visible and near infrared radiation.
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Fast response times
- Base terminal connected
- Flat glass window
- ±40° Angle of half sensitivity
Anwendungen
Sensortechnik
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
250mW
Bauform - Transistor
TO-18
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Abstrahlwinkel
40°
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000388
Produktnachverfolgung