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BPW77NB
Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pin(s), TO-18
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,810 |
| 10+ | € 2,230 |
| 25+ | € 2,100 |
| 50+ | € 1,970 |
| 100+ | € 1,840 |
| 500+ | € 1,600 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerBPW77NB
Bestellnummer1469602
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.850nm
Abstrahlwinkel10°
Stromverbrauch250mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Bauform - TransistorTO-18
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
The BPW77NB is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity, base terminal and glass lens. It is sensitive to visible and near infrared radiation.
- 4.7mm Dimension
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Base terminal connected
Anwendungen
Industrie, Sensortechnik, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
250mW
Bauform - Transistor
TO-18
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Abstrahlwinkel
10°
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung