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CQY37N
Infrarot-Emitter, Miniatur, 950 nm, 12 °, T-3/4 (1.8mm), 800 mW/Sr, 800 ns
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| Menge | |
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| 25+ | € 0,367 |
| 50+ | € 0,303 |
| 100+ | € 0,238 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerCQY37N
Bestellnummer1045521
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge950nm
Halbwertswinkel12°
Bauform - DiodeT-3/4 (1.8mm)
Strahlungsintensität (Ie)800mW/Sr
Anstiegszeit800ns
Abfallzeit tf-
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)50mA
Durchlassspannung Vf max.1.3V
Betriebstemperatur, min.-25°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
950nm infrared emitting diode in GaAs suitable for use in radiation source in near infrared range.
- Leaded package type
- T-¾ package form
- High reliability
- Angle of half intensity of ±12°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Package matches with detector BPW17N
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
950nm
Bauform - Diode
T-3/4 (1.8mm)
Anstiegszeit
800ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
50mA
Betriebstemperatur, min.
-25°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
-
Halbwertswinkel
12°
Strahlungsintensität (Ie)
800mW/Sr
Abfallzeit tf
-
Durchlassspannung Vf max.
1.3V
Betriebstemperatur, max.
85°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000111
Produktnachverfolgung