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Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerIRF720PBF
Bestellnummer8648425
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds400V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.8ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung40W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The IRF720PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Gewerbe
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
40W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
400V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.8ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung