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SI1070X-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,207 |
| 1000+ | € 0,175 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI1070X-T1-GE3
Bestellnummer3772736RL
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.082ohm
Bauform - TransistorSC-89
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.55V
Verlustleistung236mW
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCTo Be Advised
Alternativen für SI1070X-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.2A
Bauform - Transistor
SC-89
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
236mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.082ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.55V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
Trench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000236