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SI1308EDL-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI1308EDL-T1-GE3
Bestellnummer2283646RL
ProduktpaletteE
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.132ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.600mV
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SI1308EDL-T1-GE3 handelt es sich um einen 30V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit TrenchFET®-Technologie und einer Verlustleistung bei 500mW.
- PWM-optimiert für schnelles Schalten
- 100% Rg-getestet
- ESD-Schutz bis zu 1800V
- Halogenfrei
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.4A
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.132ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
600mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
E
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI1308EDL-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung