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SI2303CDS-T1-E3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2303CDS-T1-E3
Bestellnummer3772743
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.158ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung2.3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.7A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.158ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI2303CDS-T1-E3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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