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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3122DV-T1-GE3
Bestellnummer4349348
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Verpackungsoptionen
Bestellbar
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Menge | |
---|---|
5+ | € 0,746 |
10+ | € 0,460 |
100+ | € 0,303 |
500+ | € 0,238 |
1000+ | € 0,217 |
5000+ | € 0,185 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
€ 3,73 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3122DV-T1-GE3
Bestellnummer4349348
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.16ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung1.34W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.34A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.34W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.16ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000013
Produktnachverfolgung