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SI3443DDV-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,400 |
| 10+ | € 0,250 |
| 100+ | € 0,121 |
| 500+ | € 0,112 |
| 1000+ | € 0,0991 |
| 5000+ | € 0,0896 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3443DDV-T1-GE3
Bestellnummer3470731
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.039ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung2.7W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
2.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.039ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung