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SI3473CDV-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,611 |
| 100+ | € 0,413 |
| 500+ | € 0,300 |
| 1000+ | € 0,268 |
| 5000+ | € 0,233 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3473CDV-T1-GE3
Bestellnummer2707200
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung4.2W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
- P-channel 12V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- PWM optimized
- Used in load switch, PA switch
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
4.2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI3473CDV-T1-GE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung