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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3473DDV-T1-GE3
Bestellnummer2932887
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
5+ | € 0,447 |
10+ | € 0,348 |
100+ | € 0,201 |
500+ | € 0,185 |
1000+ | € 0,120 |
5000+ | € 0,108 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3473DDV-T1-GE3
Bestellnummer2932887
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0145ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung3.6W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
3.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0145ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI3473DDV-T1-GE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung