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SI4403CDY-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 5000+ | € 0,264 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4403CDY-T1-GE3
Bestellnummer2056683RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id13.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0125ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.400mV
Verlustleistung5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SI4403CDY-T1-GE3 ist ein 1.8VGS-TrenchFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der sich für Adapter-Schalt-, Hochstrom-Lastschalt- und Notebook-Anwendungen eignet.
- Gate-Widerstand (Rg): 100% getestet
- UIS: 100% getestet
- Halogenfrei
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13.4A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
400mV
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für SI4403CDY-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung