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SI4465ADY-T1-E3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,280 |
| 10+ | € 1,470 |
| 100+ | € 1,010 |
| 500+ | € 0,746 |
| 1000+ | € 0,688 |
| 5000+ | € 0,613 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4465ADY-T1-E3
Bestellnummer2335314
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds8V
Dauer-Drainstrom Id13.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.009ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.450mV
Verlustleistung6.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
- P-channel 1.8-V (G-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13.7A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
6.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.009ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
450mV
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000138
Produktnachverfolgung