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SI6415DQ-T1-E3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.03 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 1,430 |
| 100+ | € 1,020 |
| 500+ | € 0,803 |
| 1000+ | € 0,746 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI6415DQ-T1-E3
Bestellnummer3772768
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Bauform - TransistorTSSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung1.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCTo Be Advised
Alternativen für SI6415DQ-T1-E3
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6.5A
Bauform - Transistor
TSSOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
Trench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001