Seite drucken
SI7101DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
4 854 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab € 0,00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,733 |
| 500+ | € 0,579 |
| 1500+ | € 0,530 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
€ 78,30 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7101DN-T1-GE3
Bestellnummer2364059RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand7200µohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung52W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
P-channel 30V (D-S) MOSFET for use in notebook adapter switch, notebook battery management and load switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
52W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
7200µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI7101DN-T1-GE3
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000173