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SI7143DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 1,040 |
| 100+ | € 0,791 |
| 500+ | € 0,626 |
| 1000+ | € 0,558 |
| 5000+ | € 0,550 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7143DP-T1-GE3
Bestellnummer3772773
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0083ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung35.7W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
35.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0083ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
Trench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI7143DP-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung