Seite drucken
SI7272DP-T1-GE3
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7272DP-T1-GE3
Bestellnummer2646391RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
5 747 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab € 0,00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,545 |
| 500+ | € 0,495 |
| 1000+ | € 0,492 |
| 5000+ | € 0,455 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
€ 59,50 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7272DP-T1-GE3
Bestellnummer2646391RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal7600µohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal7600µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal22W
Verlustleistung, p-Kanal22W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
7600µohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
22W
Produktpalette
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
7600µohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Verlustleistung, n-Kanal
22W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000158
Produktnachverfolgung