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SIA436DJ-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,440 |
| 100+ | € 0,330 |
| 500+ | € 0,296 |
| 1000+ | € 0,268 |
| 5000+ | € 0,206 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA436DJ-T1-GE3
Bestellnummer2283648
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds8V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0078ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.350mV
Verlustleistung19W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- N-channel 8V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- 100 % Rg tested
- Used in load switch for portable applications such as smart phones, tablet PCs and mobile computing
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
19W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0078ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
350mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00012
Produktnachverfolgung