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SIA519EDJ-T1-GE3
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA519EDJ-T1-GE3
Bestellnummer2335390
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.053ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.053ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal7.8W
Verlustleistung, p-Kanal7.8W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SIA519EDJ-T1-GE3 ist ein n-/p-Kanal-MOSFET in einem SMD-Gehäuse.
- Halogenfrei
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
- Typischer ESD-Schutz
- 100% Rg-getestet
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.053ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
7.8W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.053ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Verlustleistung, n-Kanal
7.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
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