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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIDR5802EP-T1-RE3
Bestellnummer4006711
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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Menge | |
---|---|
1+ | € 2,840 |
10+ | € 2,000 |
100+ | € 1,440 |
500+ | € 1,240 |
1000+ | € 1,160 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 2,84 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIDR5802EP-T1-RE3
Bestellnummer4006711
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id153A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0024ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung150W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
153A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0024ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIDR5802EP-T1-RE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung