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SIHD240N60E-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHD240N60E-GE3
Bestellnummer3019082RL
ProduktpaletteE
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.24ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung78W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Alternativen für SIHD240N60E-GE3
4 Produkte gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
78W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.24ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
E
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung