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SIHH11N60E-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHH11N60E-T1-GE3
Bestellnummer4246977RL
ProduktpaletteE Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.339ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 8 x 8
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung114W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
11A
Bauform - Transistor
PowerPAK 8 x 8
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
114W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.339ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
E Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung