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SIHH125N60EF-T1GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 3,520 |
| 500+ | € 3,180 |
| 1000+ | € 2,780 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHH125N60EF-T1GE3
Bestellnummer3253833RL
ProduktpaletteEF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id23A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.109ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.125ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung156W
Verlustleistung Pd156W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEF
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
SIHH125N60EF-T1GE3 is an EF series power MOSFET with fast body diode. Application includes server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting (lighting), welding, induction heating, motor drives, battery chargers, solar (PV inverters) (industrial).
- 4th generation E series technology low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low effective capacitance (Co(er)
- Reduced switching and conduction losses
- Avalanche energy rated (UIS)
- 600V drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250μA )
- 0.109ohm typical drain-source on-state resistance (VGS = 10V, ID = 12A)
- 31nC typical total gate charge (VGS = 10V, ID = 12A, VDS = 480V)
- 12nC typical gate-source charge (VGS = 10V, ID = 12A, VDS = 480V)
- Single configuration
- PowerPAK package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.109ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
156W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
EF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
156W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000125
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