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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR165DP-T1-GE3
Bestellnummer2932940RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
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500+ | € 0,717 |
1500+ | € 0,670 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR165DP-T1-GE3
Bestellnummer2932940RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0046ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung65.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
65.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0046ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR165DP-T1-GE3
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003
Produktnachverfolgung