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SIR462DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR462DP-T1-GE3
Bestellnummer2335399
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand7900µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung41.7W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SIR462DP-T1-GE3 ist ein 30VDS-TrenchFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der sich für High-Side-Schalt-, Server-, VRM-, POL- und DC/DC-Wandleranwendungen eignet.
- Gate-Widerstand (Rg): 100% getestet
- UIS: 100% getestet
- Halogenfrei
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
30A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
41.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
7900µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR462DP-T1-GE3
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000223
Produktnachverfolgung