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SIR5607DP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR5607DP-T1-RE3
Bestellnummer4241529
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,520 |
| 10+ | € 2,300 |
| 100+ | € 1,610 |
| 500+ | € 1,400 |
| 1000+ | € 1,340 |
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Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR5607DP-T1-RE3
Bestellnummer4241529
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id90.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.007ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO-8S
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.6V
Verlustleistung104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90.9A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO-8S
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.007ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000074