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SIR580DP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR580DP-T1-RE3
Bestellnummer3765820
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,030 |
| 10+ | € 1,440 |
| 100+ | € 1,100 |
| 500+ | € 0,890 |
| 1000+ | € 0,820 |
| 5000+ | € 0,750 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 2,03 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR580DP-T1-RE3
Bestellnummer3765820
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id146A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00215ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Dieser n-Kanal-MOSFET mit 80V (D-S) wird üblicherweise in folgenden Anwendungen eingesetzt: Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler, ORing- und Hot-Swap-Schalter, Netzteile, Motorantriebssteuerung und Akku-/Batteriemanagement.
- TrenchFET® Gen V-Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige Gütezahl (FOM) (RDS x Qg)
- Abgestimmt für die niedrigste FOM (RDS x Qoss)
- 100% Rg- und UIS-getestet
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
146A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00215ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen V
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR580DP-T1-RE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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