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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR582DP-T1-RE3
Bestellnummer4320371
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 28 Woche(n)
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Menge | |
---|---|
3000+ | € 0,653 |
9000+ | € 0,640 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
€ 1.959,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR582DP-T1-RE3
Bestellnummer4320371
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id116A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0028ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung92.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen V Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
116A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
92.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0028ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen V Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung