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SIR876BDP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR876BDP-T1-RE3
Bestellnummer3765823
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,400 |
| 10+ | € 0,981 |
| 100+ | € 0,742 |
| 500+ | € 0,549 |
| 1000+ | € 0,485 |
| 5000+ | € 0,443 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR876BDP-T1-RE3
Bestellnummer3765823
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id51.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0108ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V
Verlustleistung71.4W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Dieser n-Kanal-MOSFET mit 100V (D-S) wird üblicherweise in folgenden Anwendungen eingesetzt: Synchrongleichrichter, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler, Netzteile und Motorantriebssteuerung.
- TrenchFET® Gen IV-Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige Gütezahl (FOM) (RDS x Qg)
- Abgestimmt für die niedrigste FOM (RDS x Qoss)
- 100% Rg- und UIS-getestet
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
51.4A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
71.4W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0108ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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