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SIRS4401DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | € 1,560 |
| 1000+ | € 1,450 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIRS4401DP-T1-GE3
Bestellnummer4199568RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id198A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0018ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung132W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
198A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
132W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0018ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000074
Produktnachverfolgung