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SIS415DNT-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS415DNT-T1-GE3
Bestellnummer3772839
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 0,869 |
| 10+ | € 0,599 |
| 100+ | € 0,414 |
| 500+ | € 0,357 |
| 1000+ | € 0,304 |
| 5000+ | € 0,279 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS415DNT-T1-GE3
Bestellnummer3772839
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0033ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung52W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
52W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0033ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen III
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung