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SIS443DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,630 |
| 10+ | € 1,140 |
| 100+ | € 0,882 |
| 500+ | € 0,668 |
| 1000+ | € 0,610 |
| 5000+ | € 0,542 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS443DN-T1-GE3
Bestellnummer2364099
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0097ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung52W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell SIS443DN-T1-GE3 handelt es sich um einen -40V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET, der sich für die Verwendung zum Laden von Notebook-Akkus und in DC/DC-Wandler- und Adapter-Schaltanwendungen eignet. Dieser p-Kanal-MOSFET für Schaltanwendungen ist nun erhältlich mit Durchgangswiderständen von rund 1mΩ und einer Strombelastbarkeit von 85A.
- Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
- Rg: 100% getestet
- UIS: 100% getestet
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
52W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0097ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002