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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS447DN-T1-GE3
Bestellnummer3772841
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 0,676 |
10+ | € 0,492 |
100+ | € 0,397 |
500+ | € 0,329 |
1000+ | € 0,313 |
5000+ | € 0,268 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS447DN-T1-GE3
Bestellnummer3772841
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0058ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung52W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
52W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0058ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen III
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIS447DN-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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