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SISH112DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.3 A, 0.0075 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 36 Woche(n)
| Menge | |
|---|---|
| 6000+ | € 0,591 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 6000
Mehrere: 6000
€ 3.546,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISH112DN-T1-GE3
Bestellnummer3019128
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id11.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0075ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung1.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
11.3A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SISH112DN-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung