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SIZ980BDT-T1-GE3
Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZ980BDT-T1-GE3
Bestellnummer3368951RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,704 |
| 500+ | € 0,561 |
| 1000+ | € 0,529 |
| 5000+ | € 0,446 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZ980BDT-T1-GE3
Bestellnummer3368951RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal + Schottky
Drain-Source-Spannung Vds30V
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id197A
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal817µohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal817µohm
Bauform - TransistorPowerPAIR
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal66W
Verlustleistung, p-Kanal66W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal + Schottky
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
817µohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
66W
Produktpalette
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Dauer-Drainstrom Id
197A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
817µohm
Bauform - Transistor
PowerPAIR
Verlustleistung, n-Kanal
66W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIZ980BDT-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001