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Menge | |
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1000+ | € 0,380 |
5000+ | € 0,340 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQ4431EY-T1_GE3
Bestellnummer3470716RL
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id10.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung6W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10.8A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
6W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001