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SQ4850CEY-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQ4850CEY-T1_GE3
Bestellnummer4077831
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,150 |
| 10+ | € 0,806 |
| 100+ | € 0,620 |
| 500+ | € 0,457 |
| 1000+ | € 0,398 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQ4850CEY-T1_GE3
Bestellnummer4077831
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.018ohm
Bauform - TransistorSO-8
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung6.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
SO-8
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
6.8W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.018ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000054
Produktnachverfolgung