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SQJ200EP-T1_GE3
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ200EP-T1_GE3
Bestellnummer2778694
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ200EP-T1_GE3
Bestellnummer2778694
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal3100µohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal3100µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal48W
Verlustleistung, p-Kanal48W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
3100µohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
48W
Produktpalette
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
3100µohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Verlustleistung, n-Kanal
48W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002