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SQJQ184E-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJQ184E-T1_GE3
Bestellnummer4014733RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id430A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1400µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO-8L
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung600W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
430A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO-8L
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
600W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1400µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung