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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQSA82CENW-T1_GE3
Bestellnummer4077836
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 0,648 |
10+ | € 0,416 |
100+ | € 0,355 |
500+ | € 0,254 |
1000+ | € 0,226 |
5000+ | € 0,172 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQSA82CENW-T1_GE3
Bestellnummer4077836
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0227ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212-8W
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung27W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
16A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212-8W
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
27W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0227ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000054