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SUM60061EL-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0051 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 5,840 |
| 10+ | € 4,260 |
| 100+ | € 3,080 |
| 500+ | € 2,550 |
| 1000+ | € 2,500 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUM60061EL-GE3
Bestellnummer3765810
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0051ohm
Bauform - TransistorTO-263
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- P-channel 80V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® power MOSFET
- Package with low thermal resistance
- Maximum 175°C junction temperature
- Low RDS(on) minimizes power loss from conduction
- Compatible with logic-level gate driving
- 100% Rg and UIS tested
- Applications include battery protection, motor drive control and load switch
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150A
Bauform - Transistor
TO-263
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0051ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung