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VS-FB190SA10
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerVS-FB190SA10
Bestellnummer2114709
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerVS-FB190SA10
Bestellnummer2114709
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id190A
Drain-Source-Spannung Vds100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0054ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.3V
Verlustleistung Pd568W
Verlustleistung568W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Alternativen für VS-FB190SA10
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
VS-FB190SA10 ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 100V mit hoher Leistungsdichte, der in einem kompakten Hochleistungsmodul parallelgeschaltet ist. So wird die beste Kombination aus Schaltleistung, robuster Ausführung und sehr niedrigem Durchgangswiderstand Rds(on) ermöglicht. Das isolierte Gehäuse ist hervorragend geeignet für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit Verlustleistungen von über 500W. Der Baustein hat sich auch dank seines niedrigen Wärmewiderstands und einfach anschließbaren Gehäuses branchenweit allgemein bewährt.
- Vollständig isoliertes Gehäuse
- Vollständig Avalanche-fähig
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Niedrige Drain-Case-Kapazität
- Niedrige interne Induktivität
- Benutzerfreundlich und parallel
Anwendungen
Power-Management, Medizinelektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
190A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
568W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0054ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.3V
Verlustleistung
568W
Produktpalette
Compute Module 3+ Series
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.039916
Produktnachverfolgung