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XP6NA6R5H
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerYAGEO XSEMI
HerstellerteilenummerXP6NA6R5H
Bestellnummer4168978
ProduktpaletteXP6NA6R5 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,170 |
| 10+ | € 1,390 |
| 100+ | € 0,944 |
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Produktspezifikationen
HerstellerYAGEO XSEMI
HerstellerteilenummerXP6NA6R5H
Bestellnummer4168978
ProduktpaletteXP6NA6R5 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id66A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0065ohm
Bauform - TransistorTO-252
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteXP6NA6R5 Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
66A
Bauform - Transistor
TO-252
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0065ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
XP6NA6R5 Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001