0.011ohm Galliumnitrid (GaN)-FETs:
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Drain-Source-Spannung Vds
Dauer-Drainstrom Id
Drain-Source-Durchgangswiderstand
Gate-Ladung, typ.
Bauform - Transistor
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Vergleichen | Preiseinheit | Menge | |||||||||||||
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Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte | 1+ € 2,270 10+ € 1,450 100+ € 1,000 500+ € 0,850 1000+ € 0,723 Weitere Preise … | Min.: 1 / Mult.: 1 | 100V | 23A | 0.011ohm | 3.4nC | VSON | Oberflächenmontage | 4Pin(s) | CoolGaN G3 Series | |||||
Stück (Gurtabschnitt) Re-Reeling Verpackungsoptionen | 100+ € 1,000 500+ € 0,850 1000+ € 0,723 5000+ € 0,614 | Min.: 100 / Mult.: 1 | 100V | 23A | 0.011ohm | 3.4nC | - | - | 4Pin(s) | - | |||||
Stück (Gurtabschnitt) Re-Reeling Verpackungsoptionen | 100+ € 1,000 500+ € 0,850 1000+ € 0,754 5000+ € 0,640 | Min.: 100 / Mult.: 1 | 100V | 23A | 0.011ohm | 3.4nC | - | - | 4Pin(s) | - | |||||
Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte | 1+ € 2,270 10+ € 1,450 100+ € 1,000 500+ € 0,850 1000+ € 0,754 Weitere Preise … | Min.: 1 / Mult.: 1 | 100V | 23A | 0.011ohm | 3.4nC | TSON | Oberflächenmontage | 4Pin(s) | CoolGaN Series |