Seite drucken
IGB110S10S1XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB110S10S1XTMA1
Bestellnummer4680814RL
Auch bekannt alsIGB110S10S1, SP005751575
Technisches Datenblatt
3 879 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab € 0,00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 1,000 |
| 500+ | € 0,850 |
| 1000+ | € 0,754 |
| 5000+ | € 0,640 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
€ 105,00 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
23A
Gate-Ladung, typ.
3.4nC
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung