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IMBG65R107M1HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG65R107M1HXTMA1
Bestellnummer3928611
ProduktpaletteCoolSiC M1 Trench Series
Auch bekannt alsSP005539184, IMBG65R107M1H
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG65R107M1HXTMA1
Bestellnummer3928611
ProduktpaletteCoolSiC M1 Trench Series
Auch bekannt alsSP005539184, IMBG65R107M1H
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id24A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.107ohm
Bauform - TransistorTO-263
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung110W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.107ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
-
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-263
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
110W
Produktpalette
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001588
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