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SCTH70N120G2V-7
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTH70N120G2V-7
Bestellnummer3748720RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 26,430 |
| 50+ | € 24,730 |
| 100+ | € 24,060 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTH70N120G2V-7
Bestellnummer3748720RL
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id90A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Betriebswiderstand, Rds(on)0.021ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.021ohm
Bauform - TransistorH2PAK
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.45V
Verlustleistung Pd469W
Verlustleistung469W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.021ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.45V
Verlustleistung
469W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.021ohm
Bauform - Transistor
H2PAK
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung Pd
469W
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00154
Produktnachverfolgung