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DMC4029SK4-13
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.3 A, 8.3 A, 0.015 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMC4029SK4-13
Bestellnummer3518379
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal8.3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.015ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.015ohm
Bauform - TransistorTO-252
Anzahl der Pins4Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.5W
Verlustleistung, p-Kanal1.5W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.015ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.5W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.015ohm
Bauform - Transistor
TO-252
Verlustleistung, n-Kanal
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000127
Produktnachverfolgung