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DMG1029SV-7
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,156 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMG1029SV-7
Bestellnummer2543528
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal500mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1.7ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal4ohm
Bauform - TransistorSOT-563
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal450mW
Verlustleistung, p-Kanal450mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
4ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
450mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1.7ohm
Bauform - Transistor
SOT-563
Verlustleistung, n-Kanal
450mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
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